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V50100PW
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Vishay General Semiconductor
Revision: 20-Dec-13
3
Document Number: 89181
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Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Instantaneous
Forward Voltage (V)
0 0.2 0.4 0.6 0.7 0.80.1 0.3 0.5
100
10
1
0.1
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
In
s
tantaneou
s
Forward Current (A)
20 30 40 50 60 70 80 90 100
1
0.1
0.01
0.001
100
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e Current (mA)
110100
0.1
Reverse Voltage (V)
Junction Cap
acitance (p
1000
F)
10 000
100
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
10
1
0.1
Tran
s
ient Thermal Impedance (°C/W)
TO-3PW
0.645 (16.38)
0.625 (15.87)
0.323 (8.20)
0.313 (7.95)
0.245 (6.23)
0.225 (5.72)
0.840 (21.34)
0.820 (20.83)
0.170 (4.32)
? 0.146 (3.71)
? 0.136 (3.45)
0.090 (2.29)
0.080 (2.03)
0.131 (3.33)
0.121 (3.07)
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
0.225 (5.72)
0.205 (5.21)
0.565 (14.35)
0.545 (13.84)
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.551 (14.00)
0.537 (13.64)
0.077 (1.96)
0.063 (1.60)
0.079 (2.01)
0.065 (1.65)
0.467 (11.86)
0.453 (11.51)
5° Ref.
Both Sides
R0.155 (R3.94)
R0.145 (R3.68)
3° Ref.
30° Ref.
10° Typ.
Both Sides
3° Ref.
3° Ref.
0.050 (1.27)
0.175 (4.45)
0.165 (4.19)
0.030 (0.75)
0.020 (0.50)
0.098 (2.50)
0.083 (2.12)
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